碳化硅的电阻率受晶体结构、掺杂类型、纯度和温度等因素显著影响，具体范围如下：

一、电阻率范围

1.本征（未掺杂）碳化硅‌

室温下电阻率：‌10³~10⁵ Ω·cm‌
因宽禁带特性（3C-SiC约2.3 eV，4H-SiC约3.2 eV），载流子浓度低导致高电阻率。

2.掺杂碳化硅‌

2.1 n型（掺氮/磷）‌：
轻掺杂：10⁻²~10² Ω·cm
重掺杂：可低至 ‌0.001~0.1 Ω·cm‌（接近导体）。
2.2 p型（掺铝/硼）‌：
轻掺杂：1~10⁴ Ω·cm
重掺杂：可降至 ‌0.001~0.1 Ω·cm‌（但通常高于n型）。

2.3特殊应用电阻率‌

发热体元件：室温约50 Ω·cm，1000℃时降至约2 Ω·cm。
二、主要影响因素

1.温度‌

本征材料：温度从室温升至300℃，电阻率下降2~3个数量级；600℃以上仍保持稳定。
掺杂材料：低温区因杂质电离，电阻率随温度升高而降低；高温区因本征激发主导，进一步下降。

2.晶型差异‌

4H-SiC电阻率略高于6H-SiC（因载流子迁移率差异），3C-SiC电阻率最低但晶体质量难控制。

3.纯度与制备工艺‌

纯度越高，杂质越少，电阻率越高；烧结工艺和晶粒结构也会影响最终电阻率。
三、测试方法
1.非接触涡流法‌：适用于0.005~200 Ω·cm范围的碳化硅单晶片。
2.四探针法‌：用于陶瓷等块体材料的电阻率测量。

关键数据对照表

注：实际应用中需根据器件需求选择掺杂类型和晶型，例如功率器件倾向低阻n型碳化硅以降低导通损耗。